SI7922DN-T1-GE3

Mfr. #:: SI7922DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay
Descripción:: IGBT Transistors MOSFET Dual N-Ch 100V 195 mohm @ 4.5V
Ciclo vital:: Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:: SI7922DN-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:: DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
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Valor de atributo

Fabricante: VISHAY

categoria de producto: Chips de IC

Serie: TrincheraFETR

embalaje: Embalaje alternativo de Digi-ReelR

Alias de parte: SI7922DN-GE3

Estilo de montaje: SMD / SMT

Paquete-Estuche: PowerPAKR 1212-8 Dual

Tecnología: Si

Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje: Montaje superficial

Número de canales: 2 Channel

Paquete de dispositivo de proveedor: PowerPAKR 1212-8 Dual

Configuración: Doble

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)

Potencia máxima: 1.3W

Tipo transistor: 2 N-Channel

Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss: 100V

Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds: -

Función FET: Puerta de nivel lógico

Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C: 1.8A

Rds-On-Max-Id-Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 3.5V @ 250μA

Puerta-Carga-Qg-Vgs: 8nC @ 10V

Disipación de potencia Pd: 1.3 W

Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C

Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C

Otoño: 11 ns

Hora de levantarse: 11 ns

Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje: 20 V

Id-corriente-de-drenaje-continua: 1.8 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 100 V

Resistencia a la fuente de desagüe de Rds: 195 mOhms

Polaridad del transistor: Canal N

Tiempo de retardo de apagado típico: 8 ns

Tiempo de retardo de encendido típico: 7 ns

Modo de canal: Mejora

Tags: SI7922DN-T, SI7922D, SI7922, SI792, SI79, SI7

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SI7922DN-T1-GE3 Descripción

***ure Electronics: Dual N-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power MosFet - PowerPAK-1212-8

***et Europe: Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

***i-Key: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

***ronik: DUAL 100V 3A 195mOhm PPAK

***: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S)

***ark: Transistor; Continuous Drain Current, Id:2500mA; Drain Source Voltage, Vds:100V; On Resistance, Rds(on):0.230ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3.5V; Power Dissipation, Pd:1.3W ;RoHS Compliant: Yes

Market price

Parte #	Mfg.	Descripción	Valores	Precio
SI7922DN-T1-GE3 DISTI # SI7922DN-T1-GE3TR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR)	On Order	3000:$0.8465
SI7922DN-T1-GE3 DISTI # SI7922DN-T1-GE3CT-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	Temporarily Out of Stock	1000:$0.9364 500:$1.1302 100:$1.4531 10:$1.8080 1:$2.0000
SI7922DN-T1-GE3 DISTI # SI7922DN-T1-GE3DKR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	Temporarily Out of Stock	1000:$0.9364 500:$1.1302 100:$1.4531 10:$1.8080 1:$2.0000
SI7922DN-T1-GE3 DISTI # SI7922DN-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7922DN-T1-GE3) RoHS: Not Compliant Min Qty: 3000 Container: Reel	Americas - 0	3000:$0.8289 6000:$0.8049 12000:$0.7719 18000:$0.7499 30000:$0.7299
SI7922DN-T1-GE3 DISTI # 16P3880	Vishay Intertechnologies	DUAL N CH MOSFET, 100V, POWERPAK,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:2.5A,Drain Source Voltage Vds:100V,On Resistance Rds(on):0.23ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:20V,Threshold Voltage Vgs:3.5V RoHS Compliant: Yes	0	1:$0.8440 3000:$0.8380 6000:$0.7980 12000:$0.7070
SI7922DN-T1-GE3 DISTI # 781-SI7922DN-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 RoHS: Compliant	0	1:$1.7800 10:$1.4800 100:$1.1400 500:$0.9980 1000:$0.9510 3000:$0.9500
SI7922DN-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8	Americas -

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Imagen	Parte #	Descripción
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	Mfr.#: SI7922DN-T1-E3-CUT TAPE OMO.#: OMO-SI7922DN-T1-E3-CUT-TAPE-1190	Nuevo y original
	Mfr.#: SI7922DN OMO.#: OMO-SI7922DN-1190	MOSFET, DUAL, NN, POWERPAK
	Mfr.#: SI7922DN-T1 OMO.#: OMO-SI7922DN-T1-1190	MOSFET Transistor, Matched Pair, N-Channel, LLCC

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100: ~~0,92 US$~~; ~~91,84 US$~~

500: ~~0,87 US$~~; ~~433,70 US$~~

1000: ~~0,82 US$~~; ~~816,40 US$~~

Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.

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