BLF378

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Advanced Semiconductor, Inc.

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

18 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

125 V

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

300 mOhms

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-262A

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

225 MHz

Marca:

Advanced Semiconductor, Inc.

Pd - Disipación de energía:

500 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

7 V

Unidad de peso:

0.001058 oz

Tags

BLF3, BLF