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SIZ700DT-T1-GE3

SIZ700DT-T1-GE3
Mfr. #:
SIZ700DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIZ700DT-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
SIZ700DT-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
6-PowerPair
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
6-PowerPair
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Potencia máxima
2.36W, 2.8W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
20V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
1300pF @ 10V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
16A
Rds-On-Max-Id-Vgs
8.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.2V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
35nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
2.36 W 2.8 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
8 ns 10 ns
Hora de levantarse
9 ns 8 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
16 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
16 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
7 mOhms 4.7 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
25 ns 47 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
8 ns 12 ns
Transconductancia directa-Mín.
60 S 100 S
Modo de canal
Mejora
Tags
SIZ700DT-T, SIZ700DT, SIZ700D, SIZ700, SIZ70, SIZ7, SiZ
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 20V 13.1A/17.3A 6-Pin PowerPAIR T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
***ment14 APAC
MOSFET, NN-CH, 20V, 16A, POWERPAIR8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.2V; Power Dissipation Pd:2.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAIR; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:16A; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):7mohm; Power Dissipation Pd:2.8W; Voltage Vgs Max:16V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIZ700DT-T1-GE3
DISTI # SIZ700DT-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 3000:$0.6622
SIZ700DT-T1-GE3
DISTI # 15R4897		Vishay IntertechnologiesMOSFET, DUAL N-CH, 20V, 16A, POWERPAIR, FULL REEL,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:16A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.007ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,No. of Pins:6Pins , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.6370
  • 3000:$0.6330
  • 6000:$0.6020
  • 12000:$0.5340
SIZ700DT-T1-GE3
DISTI # 83T3535		Vishay IntertechnologiesMOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 16A, POWERPAIR,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:16A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.007ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:800mV, RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.6200
  • 25:$1.5300
  • 50:$1.3900
  • 100:$1.2500
  • 250:$1.1300
  • 500:$0.9510
  • 1000:$0.8410
SIZ700DT-T1-GE3
DISTI # 781-SIZ700DT-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
    SIZ700DT-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10VAmericas -
      Imagen Parte # Descripción
      SIZ700DT-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ700DT-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ700DT-T1-GE3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIZ710DT-T1-GE3
      SIZ700DT-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ700DT-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ700DT-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V
      SIZ700DI-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ700DI-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ700DI-T1-GE3-1190

      		 Nuevo y original
      SIZ700DT

      Mfr.#: SIZ700DT

      OMO.#: OMO-SIZ700DT-1190

      		 Nuevo y original
      SIZ700DT-T1

      Mfr.#: SIZ700DT-T1

      OMO.#: OMO-SIZ700DT-T1-1190

      		 Nuevo y original
      SIZ700DT-T1-E3

      Mfr.#: SIZ700DT-T1-E3

      OMO.#: OMO-SIZ700DT-T1-E3-1190

      		 Nuevo y original
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      Available
      En orden:
      2000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SIZ700DT-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,83 US$
      0,83 US$
      10
      0,78 US$
      7,85 US$
      100
      0,74 US$
      74,37 US$
      500
      0,70 US$
      351,20 US$
      1000
      0,66 US$
      661,10 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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