NVF2955PT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

170 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

14.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

2.3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

1.77 S

Otoño:

38 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

65 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Unidad de peso:

0.008818 oz

Tags

NVF29, NVF2, NVF