IRFR825PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.05 Ohms

Qg - Carga de puerta:

34 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

119 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Tubo

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Infineon / IR

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001557146

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IRFR8, IRFR, IRF