P2N2222ARL1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

40 V

Colector- Voltaje base VCBO:

75 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.6 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

300 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.2 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

4.19 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

600 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

35

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Transistores

Tags

P2N2222AR, P2N22, P2N2, P2N