DMC3032LSD-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8.1 A, 7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

32 Ohms, 39 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

9.2 nC, 21.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMC3032

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

2.84 ns, 22.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.18 ns, 6.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13.92 ns, 50.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.4 ns, 10.1 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

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