BSC065N06LS5ATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

64 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

46 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Serie:

OptiMOS 5

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

32 S

Otoño:

3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Parte # Alias:

BSC065N06LS5 SP001385614

Tags

BSC06, BSC0, BSC