NJW44H11G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3P-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

-

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1 V

Corriente máxima del colector de CC:

20 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

85 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

NJW44H11

Ganancia de corriente CC hFE Max:

320

Embalaje:

Tubo

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

10 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

80

Pd - Disipación de energía:

120 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.194007 oz

Tags

NJW4, NJW