TPH2R506PL,L1Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOP-Advance-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

160 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

60 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

132 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.95 mm

Longitud:

5 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

39 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns

Tags

TPH2R5, TPH2R, TPH2, TPH