DMP2022LSS-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

56.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.5 mm

Longitud:

5.3 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMP2022

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

4.1 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

28 S

Otoño:

76.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

108 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.5 ns

Unidad de peso:

0.030018 oz

Tags

DMP2022LSS-1, DMP2022LSS, DMP2022, DMP202, DMP20, DMP2, DMP