UT6MA3TCR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HUML2020L-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.5 A, 5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

30 mOhms, 42 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV, 1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

4 nC, 6.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

3.1 S, 4.1 S

Otoño:

5.5 ns, 30 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.9 ns, 36 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

24 ns, 50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.8 ns, 9 ns

Parte # Alias:

UT6MA3

Tags

UT6MA, UT6M, UT6