STE180NE10

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ISOTOP-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

180 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

360 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.1 mm

Longitud:

38.2 mm

Serie:

STE180NE10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

25.5 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

30 S

Otoño:

440 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

600 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

430 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

100 ns

Unidad de peso:

1 oz

Tags

STE180N, STE18, STE1, STE