Jan2N930/TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-72-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

15 V

Colector- Voltaje base VCBO:

30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

3 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.4 V

Corriente máxima del colector de CC:

50 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

200 at 3 mA, 1 V

Marca:

Microchip / Microsemi

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

100 at 10 uA, 5 V

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Transistores

Tags

Jan2N9, Jan2N, Jan2, JAN