FDMA291P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

MicroFET-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

36 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.4 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

FDMA291P

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

16 S

Otoño:

25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Unidad de peso:

0.001058 oz

Tags

FDMA29, FDMA2, FDMA, FDM