CSD87333Q3DT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VSON-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13.4 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

950 mV

Qg - Carga de puerta:

3.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

6 W

Configuración:

Doble

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

CSD87333Q3D

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

43 S

Otoño:

2.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.1 ns

Unidad de peso:

0.002677 oz

Tags

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