RSD200N10TL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

52 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

20 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.5 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

193 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

61 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

128 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Parte # Alias:

RSD200N10

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

RSD200N1, RSD200, RSD20, RSD2, RSD