RD3T050CNTL1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

760 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.25 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

8.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

29 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

1.3 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Tags

RD3T0, RD3T, RD3