NTTFS4943NTAG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WDFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

41 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

9.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.17 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

29.3 S

Otoño:

2.96 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10.6 ns

Tags

NTTFS494, NTTFS49, NTTFS4, NTTFS, NTTF, NTT