NTJD2152PT4G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

8 V

Id - Corriente de drenaje continua:

775 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

510 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

270 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.25 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

2 S

Otoño:

23 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

23 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

NTJD2152PT, NTJD2152, NTJD2, NTJD, NTJ