MJD5731T4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

350 V

Colector- Voltaje base VCBO:

5 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1 V

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

10 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.73 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

6.22 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

30

Pd - Disipación de energía:

15 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Tags

MJD5731T, MJD57, MJD5, MJD