FDN5632N-F085

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SSOT-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

98 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

UltraFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.12 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDN5632N_F085

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Power Trench MOSFET

Ancho:

1.4 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

1.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

5.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Parte # Alias:

FDN5632N_F085

Unidad de peso:

0.001058 oz

Tags

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