UF3C065040K3S

UF3C065040K3S
Mfr. #:
UF3C065040K3S
Fabricante:
UnitedSiC
Descripción:
MOSFET 42mOhm 650V 54A SiC Cascode Fast
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
UF3C065040K3S Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
UF3C065040K3S más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
UnidosSiC
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Sic
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-247-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
650 V
Id - Corriente de drenaje continua:
54 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
42 mOhms
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Calificación:
AEC-Q101
Embalaje:
Tubo
Serie:
UF3C
Marca:
UnidosSiC
Tipo de producto:
MOSFET
Cantidad de paquete de fábrica:
30
Subcategoría:
MOSFET
Tags
UF3C06504, UF3C0, UF3C, UF3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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UF3C High-Performance SiC FETs
United Silicon Carbide UF3C High-Performance SiC FETs are cascode products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode optimized MOSFET to produce the only standard gate drive SiC device in the market today. This series exhibits ultra-low gate charge. These devices are excellent for switching inductive loads, and any application requiring standard gate drive. The F3 SiC fast JFETs series exhibits very fast switching using a TO-247, or D2PAK-3L package. Each device features the best reverse recovery characteristics of any device of similar ratings.
Imagen Parte # Descripción
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35,56 US$
5
33,96 US$
169,80 US$
10
32,90 US$
329,00 US$
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30,23 US$
755,75 US$
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100
28,10 US$
2 810,00 US$
250
25,78 US$
6 445,00 US$
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