SIHF640S-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

180 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

70 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

130 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

4.83 mm

Longitud:

10.67 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.65 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

6.7 S

Otoño:

36 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

51 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Tags

SIHF64, SIHF6, SIHF, SIH