C3M0120090J-TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-7

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

900 V

Id - Corriente de drenaje continua:

22 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

170 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

18 V, - 8 V

Qg - Carga de puerta:

17.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

83 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Producto:

MOSFET de potencia

Escribe:

MOSFET de carburo de silicio

Marca:

Velocidad de lobo / Cree

Transconductancia directa - Mín .:

6.7 S

Otoño:

5 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.5 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

C3M01200, C3M01, C3M0, C3M