BLV11

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Advanced Semiconductor, Inc.

Categoria de producto:

Transistores bipolares de RF

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

Poder bipolar

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

NPN

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

10

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

18 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

4 V

Corriente continua del colector:

3 A

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

SOT-123

Embalaje:

Bandeja

Frecuencia de operación:

250 MHz

Escribe:

Potencia bipolar RF

Marca:

Advanced Semiconductor, Inc.

Corriente máxima del colector de CC:

8 A

Pd - Disipación de energía:

36 W

Tipo de producto:

Transistores bipolares de RF

Subcategoría:

Transistores

Tags

BLV1, BLV