HUF76407DK8T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

75 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

25 ns, 31 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns, 11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns, 46 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns, 5 ns

Unidad de peso:

0.002998 oz

Tags

HUF76407D, HUF76407, HUF7640, HUF764, HUF76, HUF7, HUF