DMN3190LDW-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

190 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

320 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN31

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

700 nS

Otoño:

15.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30.3 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.5 ns

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

DMN319, DMN31, DMN3, DMN