AUIRF7732S2TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DirectFET-SC

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

58 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

22 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

41 W

Configuración:

Único

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.74 mm

Longitud:

4.85 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.95 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

64 S

Otoño:

37 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

123 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4800

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001519174

Tags

AUIRF773, AUIRF77, AUIRF7, AUIRF, AUIR, AUI