RJU003N03T106

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

300 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

RJU003N03

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

0.4 S

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Parte # Alias:

RJU003N03

Unidad de peso:

0.000176 oz

Tags

RJU003N03T, RJU003, RJU0, RJU