MJE13009G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

400 V

Colector- Voltaje base VCBO:

700 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

9 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1 V

Corriente máxima del colector de CC:

12 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

4 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

40

Altura:

9.28 mm (Max)

Longitud:

10.28 mm (Max)

Embalaje:

Tubo

Ancho:

4.82 mm (Max)

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

12 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

8

Pd - Disipación de energía:

12 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.211644 oz

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