2N929A

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-18-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.5 V

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

45 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Serie:

2N929A

Ganancia de corriente CC hFE Max:

350 at 10 mA, 5 V

Embalaje:

A granel

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

30 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

25 at 1 uA, 5 V

Pd - Disipación de energía:

1.8 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N929A PBFREE

Tags

2N92, 2N9