BSO110N03MS G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

20 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

OptiMOS 3M

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

16 S

Otoño:

4.4 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.8 ns

Parte # Alias:

BSO110N03MSGXUMA1 BSO11N3MSGXT SP000446062

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

BSO110N03MSG, BSO110N03M, BSO110, BSO11, BSO1, BSO