FDS8858CZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V, 60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

17 mOhms, 20.5 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V, 25 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.6 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

FDS8858CZ

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

27 S / 21 S

Otoño:

3 ns, 16 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns, 10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns, 33 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 9 ns

Unidad de peso:

0.006596 oz

Tags

FDS8858C, FDS885, FDS88, FDS8, FDS