SQD10N30-330H_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

300 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

275 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

47 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

107 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

SQ

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

26 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.011993 oz

Tags

SQD10N, SQD10, SQD1, SQD