BUK7K32-100EX

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

LFPAK56D-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

29 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

21.5 mOhms, 21.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

34 nC, 34 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

64 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Nexperia

Otoño:

13.8 ns, 13.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10.9 ns, 10.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

24.2 ns, 24.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.8 ns, 7.8 ns

Tags

BUK7K3, BUK7K, BUK7, BUK