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ALD310700ASCL

ALD310700ASCL
Mfr. #:
ALD310700ASCL
Fabricante:
Advanced Linear Devices
Descripción:
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
ALD310700ASCL Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
ALD310700ASCL más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Dispositivos lineales avanzados
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
SOIC-16
Número de canales:
4 Channel
Polaridad del transistor:
P-Channel
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
8 V
Id - Corriente de drenaje continua:
2.07 mA
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
1 kOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
20 mV
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
8 V
Qg - Carga de puerta:
-
Temperatura mínima de funcionamiento:
0 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 70 C
Pd - Disipación de energía:
500 mW
Configuración:
Patio
Modo de canal:
Mejora
Serie:
ALD31070
Tipo de transistor:
4 P-Channel
Marca:
Dispositivos lineales avanzados
Tipo de producto:
MOSFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
MOSFET
Tags
ALD310700, ALD3107, ALD31, ALD3, ALD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC
ALD31070x P-Channel EPAD® MOSFET Arrays
Advanced Linear Devices ALD31070x P-Channel EPAD® MOSFET Arrays are high-precision monolithic quad p-channel MOSFET arrays. These MOSFET arrays belong to the EPAD® matched pair MOSFET family. The ALD31070x MOSFET arrays are used for low-voltage and low-power small signal applications with low gate threshold voltages of 0V and -0.2V. These MOSFET arrays are designed for exceptional matching of device electrical characteristics. The ALD31070x arrays are fabricated on the same monolithic chip, which offers excellent temperature tracking characteristics. These MOSFET arrays are versatile design components for a wide range of precision analog applications like current mirrors, matching circuits, and current sources.Learn More
Imagen Parte # Descripción
LPV802DGKR

Mfr.#: LPV802DGKR

OMO.#: OMO-LPV802DGKR

 Operational Amplifiers - Op Amps Op Amp w/ excellent speed to power ratio
TLV8802DGKR

Mfr.#: TLV8802DGKR

OMO.#: OMO-TLV8802DGKR

 Operational Amplifiers - Op Amps OP AMP W/ EXCELLENT SPEED TO POWER RATIO
DMP1045UQ-7

Mfr.#: DMP1045UQ-7

OMO.#: OMO-DMP1045UQ-7

 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMG2302UK-7

Mfr.#: DMG2302UK-7

OMO.#: OMO-DMG2302UK-7

 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMG2301LK-7

Mfr.#: DMG2301LK-7

OMO.#: OMO-DMG2301LK-7

 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
ALD110800APCL

Mfr.#: ALD110800APCL

OMO.#: OMO-ALD110800APCL

 MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
DMG2302UKQ-7

Mfr.#: DMG2302UKQ-7

OMO.#: OMO-DMG2302UKQ-7

 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMG2301LK-7

Mfr.#: DMG2301LK-7

OMO.#: OMO-DMG2301LK-7-DIODES

 MOSFET P-CHA 20V 2.4A SOT23
DMG2302UK-7

Mfr.#: DMG2302UK-7

OMO.#: OMO-DMG2302UK-7-DIODES

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ALD110800APCL

Mfr.#: ALD110800APCL

OMO.#: OMO-ALD110800APCL-ADVANCED-LINEAR-DEVICES

 IGBT Transistors MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
Disponibilidad
Valores:
66
En orden:
2049
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Precio unitario
Ext. Precio
1
5,11 US$
5,11 US$
10
4,56 US$
45,60 US$
25
4,11 US$
102,75 US$
50
4,00 US$
200,00 US$
100
3,74 US$
374,00 US$
250
3,38 US$
845,00 US$
500
3,03 US$
1 515,00 US$
1000
2,56 US$
2 560,00 US$
2500
2,44 US$
6 100,00 US$
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