SSM3K36FS,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-416-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

500 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

630 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

350 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

5 V

Qg - Carga de puerta:

1.23 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.7 mm

Longitud:

1.6 mm

Serie:

SSM3K36

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

0.8 mm

Marca:

Toshiba

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

75 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

30 ns

Unidad de peso:

0.000212 oz

Tags

SSM3K36F, SSM3K36, SSM3K3, SSM3K, SSM3, SSM