2SA2127-AE

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 0.2 V

Corriente máxima del colector de CC:

- 4 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

420 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2SA2127

Ganancia de corriente CC hFE Max:

560 at - 100 mA, - 2 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

200 at - 100 mA, - 2 V

Pd - Disipación de energía:

1 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Tags

2SA2127, 2SA212, 2SA21, 2SA2, 2SA