TSM650N15CR RLG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PDFN56-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Id - Corriente de drenaje continua:

24 A

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

36 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

96 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Transconductancia directa - Mín .:

11 S

Otoño:

4.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.4 ns

Tags

TSM650, TSM65, TSM6, TSM