BSC882N03LS G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

34 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.2 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

2 V

Qg - Carga de puerta:

27 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

69 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Serie:

BSC882N03

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

100 S

Otoño:

9.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

BSC882N03LSGATMA1 BSC882N3LSGXT SP000686916

Unidad de peso:

0.002677 oz

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BSC882N03LSG, BSC882N03L, BSC882, BSC8, BSC