SI7489DP-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

28 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

41 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

106 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

83 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SI7

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

38 S

Otoño:

100 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns, 160 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

100 ns, 110 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns, 42 ns

Parte # Alias:

SI7489DP-GE3

Unidad de peso:

0.017870 oz

Tags

SI7489, SI748, SI74, SI7