IXTP18P10T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

120 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Qg - Carga de puerta:

39 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

83 W

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchP

Embalaje:

Tubo

Altura:

16 mm

Longitud:

10.66 mm

Serie:

IXTP18P10

Escribe:

TrenchP Power MOSFET

Ancho:

4.83 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

8 S

Otoño:

22 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

26 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

44 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

19 ns

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP18, IXTP1, IXTP, IXT