IPP50R299CPXKSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

299 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

23 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

104 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Producto:

Cool MOS Power

Serie:

IPP50R299

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Genial transistor de potencia MOS

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

35 ns

Parte # Alias:

IPP50R299CP IPP5R299CPXK SP000680938

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

IPP50R299C, IPP50R29, IPP50R2, IPP50R, IPP50, IPP5, IPP