FDS6673BZ-F085

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

14.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.5 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

88 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

FDS6673BZ_F085

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

60 S

Otoño:

105 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

225 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Parte # Alias:

FDS6673BZ_F085

Unidad de peso:

0.008127 oz

Tags

FDS6673B, FDS6673, FDS667, FDS66, FDS6, FDS