NTJD4105CT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V, 8 V

Id - Corriente de drenaje continua:

630 mA, - 775 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

375 mOhms, 900 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV, 450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V, - 1.8 V

Qg - Carga de puerta:

1.3 nC, 2.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

0.55 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTJD4105C

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.25 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

2 S, 2 S

Otoño:

506 ns, 36 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

227 ns, 23 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

786 ns, 50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

83 ns, 13 ns

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

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