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SI7423DN-T1-GE3

SI7423DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7423DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7423DN-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
Serie
SI74xxDx
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7423DN-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PowerPAK-1212-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 P-Channel
Disipación de potencia Pd
1.5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
50 ns
Hora de levantarse
10 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
7.4 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
18 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico
74 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
11 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7423DN-T, SI7423D, SI7423, SI742, SI74, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***ment14 APAC
P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Chann; P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:3.8W
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7423DN-T1-GE3
DISTI # SI7423DN-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.7084
SI7423DN-T1-GE3
DISTI # SI7423DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7423DN-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.6689
  • 6000:$0.6489
  • 12000:$0.6229
  • 18000:$0.6059
  • 30000:$0.5889
SI7423DN-T1-GE3
DISTI # 781-SI7423DN-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
RoHS: Compliant		3041
  • 1:$1.6100
  • 10:$1.3300
  • 100:$1.0200
  • 500:$0.8750
  • 1000:$0.6900
  • 3000:$0.6440
Imagen Parte # Descripción
SI7423DN-T1-GE3

Mfr.#: SI7423DN-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7423DN-T1-GE3

 MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
SI7423DN-T1-E3

Mfr.#: SI7423DN-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7423DN-T1-E3

 MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
SI7423DN-T1-GE3

Mfr.#: SI7423DN-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7423DN-T1-GE3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
SI7423DN-T1-E3-CUT TAPE

Mfr.#: SI7423DN-T1-E3-CUT TAPE

OMO.#: OMO-SI7423DN-T1-E3-CUT-TAPE-1190

 Nuevo y original
SI7423DN

Mfr.#: SI7423DN

OMO.#: OMO-SI7423DN-1190

 Nuevo y original
SI7423DN-T1-E3

Mfr.#: SI7423DN-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7423DN-T1-E3-VISHAY

 MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8
SI7423DN-T1-E3-S

Mfr.#: SI7423DN-T1-E3-S

OMO.#: OMO-SI7423DN-T1-E3-S-1190

 Nuevo y original
SI7423DN-T1-GE3 7423

Mfr.#: SI7423DN-T1-GE3 7423

OMO.#: OMO-SI7423DN-T1-GE3-7423-1190

 Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1500
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,88 US$
0,88 US$
10
0,84 US$
8,39 US$
100
0,80 US$
79,50 US$
500
0,75 US$
375,40 US$
1000
0,71 US$
706,70 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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