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SI8902AEDB-T2-E1

SI8902AEDB-T2-E1
Mfr. #:
SI8902AEDB-T2-E1
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI8902AEDB-T2-E1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI8902AEDB-T2-E1 DatasheetSI8902AEDB-T2-E1 Datasheet (P4-P6)SI8902AEDB-T2-E1 Datasheet (P7-P9)SI8902AEDB-T2-E1 Datasheet (P10-P11)
ECAD Model:
Más información:
SI8902AEDB-T2-E1 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Vishay
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
MicroFoot-6
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
24 V
Id - Corriente de drenaje continua:
11 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
28 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
400 mV
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
12 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
5.7 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Carrete
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Marca:
Vishay / Siliconix
Transconductancia directa - Mín .:
15 S
Otoño:
12 us
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
3.5 us
Cantidad de paquete de fábrica:
3000
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
25 us
Tiempo típico de retardo de encendido:
1.5 us
Tags
SI8902, SI890, SI89, SI8
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Common drain N-chan MFOOT 2.4X 1.6 24V 14mohm @4.5V ESD
***ical
Trans MOSFET N-CH 6-Pin Micro Foot
***ure Electronics
24V 5.9A 0.028 Ohm N-ch MICRO FOOT® 2.4 x 1.6
***i-Key
N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
***et
COMMON DRAIN N-CHAN MFOOT 2.4X 1.6 24V 14MOHM
Integrated MOSFETs with Common Drain
Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2 and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI8902AEDB-T2-E1
DISTI # SI8902AEDB-T2-E1-ND		Vishay SiliconixN-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
RoHS: Not compliant
Min Qty: 6000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 6000:$0.3005
SI8902AEDB-T2-E1
DISTI # SI8902AEDB-T2-E1		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 24V 11A 6-Pin MICRO FOOT T/R - Tape and Reel (Alt: SI8902AEDB-T2-E1)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 6000
Container: Reel		Americas - 0
  • 60000:$0.2709
  • 30000:$0.2789
  • 18000:$0.2869
  • 12000:$0.2989
  • 6000:$0.3079
SI8902AEDB-T2-E1
DISTI # 78-SI8902AEDB-T2-E1		Vishay IntertechnologiesMOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
RoHS: Compliant		6000
  • 1:$0.8400
  • 10:$0.6760
  • 100:$0.5130
  • 500:$0.4240
  • 1000:$0.3390
  • 3000:$0.3070
  • 6000:$0.2860
  • 9000:$0.2750
  • 24000:$0.2650
Imagen Parte # Descripción
SI8902AEDB-T2-E1

Mfr.#: SI8902AEDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8902AEDB-T2-E1

 MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
SI8902AEDB-T2-E1

Mfr.#: SI8902AEDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8902AEDB-T2-E1-VISHAY

 N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1989
Ingrese la cantidad:
El precio actual de SI8902AEDB-T2-E1 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,84 US$
0,84 US$
10
0,68 US$
6,76 US$
100
0,51 US$
51,30 US$
500
0,42 US$
212,00 US$
1000
0,34 US$
339,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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