IXTA60N10T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

18 mOhms

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

176 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

4.5 mm

Longitud:

9.9 mm

Serie:

IXTA60N10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.2 mm

Marca:

IXYS

Otoño:

37 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

40 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

43 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

27 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXTA60N1, IXTA60, IXTA6, IXTA, IXT