2N5859

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-39-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

40 V

Colector- Voltaje base VCBO:

80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.7 V

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

250 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Serie:

2N5859

Ganancia de corriente CC hFE Max:

120

Embalaje:

A granel

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

2 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

15

Pd - Disipación de energía:

5 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N5859 PBFREE

Tags

2N585, 2N58, 2N5